瑞典ABB集團服務中心的簡?伊斯伯格及其同事成功制備出一種人造金剛石膜，其電學性能和半導體性能不亞于現(xiàn)在常用的半導體硅。
據(jù)9月6日出版的《自然》雜志報道，伊斯伯格領導的研究小組采用微波等離子體化學氣相沉積技術(CVD技術)，將富含碳元素的甲烷分子分解，分解后的碳原子重新組合，便形成金剛石。
純凈的金剛石其實是良好的絕緣體，但是和硅一樣，如果在其中摻入少量的硼或者氮，它就會變成半導體。
伊斯伯格正是根據(jù)金剛石的這種特性，在甲烷和氫氣的混合物中加入乙硼烷，從而制得摻雜了硼的金剛石。伊斯伯格指出，整個制取過程的關鍵在于，他們選擇了工業(yè)金剛石晶體(將石墨置于高溫高壓條件下制得)作為襯底，有了這個襯底的“支撐”，碳原子才能整齊有序地排列起來，生成新的金剛石膜。
研究人員表示，利用這種方法制備的金剛石膜有一定的厚度，導電性能良好。
基于它做成的電子元器件，如晶體管等，功率輸出及運行速度可與硅晶體管媲美。不過研究人員同時強調，即使制造工藝上的問題能得以解決，這也不代表金剛石會完全取代硅來制作微電子元器件，相反地，金剛石電子元器件將是硅電子產(chǎn)品的一個補充。
比如，用這種金剛石膜制作的芯片能在幾百攝氏度的高溫下正常工作，而硅芯片的工作溫度不能超過150攝氏度，而且，金剛石電子元器件的體積可以更小，它將在硅電子產(chǎn)品無法應用的場合發(fā)揮無可替代的作用。
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